지난주 삼성전자가 3나노 반도체를 세계 최초로 선보인 바이든 미국 대통령과 윤석열 한국 대통령의 정상회담에서 세계 최초로 3나노 반도체 웨이퍼를 선보인 것으로 알려졌다. 대한민국.

두 사람은 경기도 평택에 있는 삼성전자 반도체 공장을 방문해 새 반도체 웨이퍼에 서명했다. 회사는 앞으로 몇 주 안에 새로운 칩의 대량 생산을 시작할 계획입니다.

3nm 기술은 현재 사용 가능한 5nm 기술보다 더 큰 트랜지스터 밀도를 제공하므로 자율주행차, 인공 지능 및 빅 데이터에 사용되는 고급 칩의 전력 소비는 낮추고 속도는 빨라집니다.

이 기술은 세계 2위 칩 제조사가 파운드리 1위 업체인 TSMC와 맞붙는 비결이다.

업계 추적업체 트렌드포스(TrendForce)에 따르면 2021년 4분기 TSMC는 세계 파운드리 시장 지분의 52.1%를, 삼성은 18.3%의 지분을 보유하고 있다.

삼성은 GAAFET(게이트 만능 전계 효과 트랜지스터 기술)를 사용하는 3nm 반도체 칩을 최초로 도입할 가능성이 높습니다.

칩의 전력 소비를 거의 절반으로 줄일 뿐만 아니라 현재 사용 가능한 핀 전계 효과 트랜지스터 기술(FinFET)에 비해 성능을 최대 35%까지 향상시킵니다.

한편 TSMC도 3nm 칩 생산을 시작할 계획이지만 안정성을 위해 FinFET를 계속 사용할 것입니다.

업계 소식통은 삼성이 TSMC의 지분을 즉시 인수하기는 어렵지만 최소한 초기 3nm 기술 부문에서 우위를 점할 수 있다고 말했습니다.

반도체 업체들은 차세대 파운드리 미세공정에 필수적인 GAAFET의 수율을 높이기 위해 고군분투하고 있으며, 삼성도 예외는 아니다.

그러나 소식통에 따르면 이전에 20~30%에 머물렀던 수율이 크게 향상되었습니다.

강문수 삼성 파운드리 사업부 상무는 "개발 과정 전반에 걸쳐 검사를 강화해 Ramp-up 기간을 단축했다"며 "강력한 고객 파트너십과 시장 수요에 대한 수익성 우려는 일축했다"고 말했다.

소식통은 바이든 대통령의 최근 방문이 많은 공급업체와 고객이 미국에 기반을 두고 있기 때문에 소싱 공급업체와 고객에게 큰 도움이 될 것이라고 믿습니다.

출처 출처: http://www.koreaherald.com/view.php?ud=20220523000678&np=1&mp=1